改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向氧化锌薄膜方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200710044966.5
IPC分类号：C30B30/02
申请日期：
2007-08-17
申请人：
中国科学院上海硅酸盐研究所

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专利名称	改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向氧化锌薄膜方法
申请号	CN200710044966.5	申请日期	2007-08-17
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2008-01-30	公开/公告号	CN101113533
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B30/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B30/00 利用电场、磁场、波能或其他特定物理条件的作用为特征来制备单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔5〕 C30B30/02 用电场的，例如电解法〔5〕	IPC分类号	C;3;0;B;3;0;/;0;2查看分类表>
申请人	中国科学院上海硅酸盐研究所	申请人地址	江苏省太仓市长春南路238号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所苏州研究院	当前权利人	中国科学院上海硅酸盐研究所苏州研究院
发明人	高相东;彭芳;李效民;于伟东
代理机构	上海智信专利代理有限公司	代理人	潘振甦

摘要

本发明涉及一种改进的电化学沉积工艺制备单一c轴取向ZnO薄膜方法，其特征在于采用电化学预处理过程与恒电流沉积相结合的方法，在经预处理的衬底表面形成一晶柱尺寸小的ZnO籽晶层，使后续沉积ZnO薄膜具有单一c轴生长特性。具体包括电沉积前驱液的制备、衬底清洗处理以及薄膜生长三大步，最后薄膜生长采用电化学沉积系统。所制备的ZnO膜层具有单一c轴取向，结晶程度高，而且在可见光区具有很高的透过率，可用作薄膜太阳电池的窗口层、以及压电、光电、气敏等多种领域。本方法成本低廉，无需真空环境或使用有机物和高温加热设备，适合于大面积、规模化薄膜材料制备。

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