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纵向型半导体装置及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201510102973.0
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/739
  • 申请日期:
    2015-03-09
  • 申请人:
    富士电机株式会社
著录项信息
专利名称纵向型半导体装置及其制造方法
申请号CN201510102973.0申请日期2015-03-09
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2015-11-11公开/公告号CN105047712A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;7;3;9查看分类表>
申请人富士电机株式会社申请人地址
日本神奈川县 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人富士电机株式会社当前权利人富士电机株式会社
发明人坂田敏明;新村康
代理机构北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)代理人刘新宇
摘要
本发明提供一种能够获得低导通电阻、高雪崩耐量、高关断耐量以及高反向恢复耐量的纵向型半导体装置及其制造方法。在具备元件活性部和耐压结构部的纵向型半导体装置中,在元件活性部的第一主表面具备第一主电极和栅极焊盘电极,在第一主电极下部的漂移层具备第一并列pn层,在栅极焊盘电极下部具备第二并列pn层。在栅极焊盘电极下部的第二并列pn层与被配置在漂移层的表面层的p阱区域之间具备第一导电型隔离区域,通过使第二并列pn层的重复间距比第一并列pn层的重复间距窄,能够获得低导通电阻、高雪崩耐量、高关断耐量以及高反向恢复耐量。

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