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光伏器件的薄吸收层

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200980151499.3
  • IPC分类号:H01L31/042
  • 申请日期:
    2009-10-23
  • 申请人:
    奥塔装置公司
著录项信息
专利名称光伏器件的薄吸收层
申请号CN200980151499.3申请日期2009-10-23
法律状态撤回申报国家中国
公开/公告日2011-11-23公开/公告号CN102257635A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/042
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;4;2查看分类表>
申请人奥塔装置公司申请人地址
美国加利福尼亚州 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人奥塔装置公司当前权利人奥塔装置公司
发明人伊西克·C·奇吉尔亚里;美利莎·艾契尔;哈利·艾华特;汤玛士·J·吉密特;何甘;安德瑞斯·海吉杜斯;雷格·东克
代理机构北京安信方达知识产权代理有限公司代理人周靖;郑霞
摘要
提供了用于以与常规太阳能电池相比时增大的效率将电磁辐射(例如太阳能)转化为电能的方法及装置。在光伏(PV)器件的一个实施方式中,PV器件大致上包括n型掺杂层及p+型掺杂层,p+型掺杂层邻近所述n型掺杂层以形成p-n层,使得当电磁辐射被p-n层吸收时产生电能。n型掺杂层和p+型掺杂层可以构成吸收层,并且吸收层的厚度小于500nm。与常规太阳能电池相比,这样的薄吸收层可以允许PV器件具有更大的效率和及可挠性。

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