基于光电性能高通量筛选光催化剂的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201210045659.X
IPC分类号：G01N21/00
申请日期：
2012-02-27
申请人：
华中科技大学

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著录项信息

专利名称	基于光电性能高通量筛选光催化剂的方法
申请号	CN201210045659.X	申请日期	2012-02-27
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2012-08-01	公开/公告号	CN102621062A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G01N21/00 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G01 测量；测试 G01N （除免疫测定法以外包括酶或微生物的测量或试验入C12M，C12Q） G01N21/00 利用光学手段，即利用红外光、可见光；或紫外光来测试或分析材料（G01N 3/00至G01N 19/00优先）	IPC分类号	G;0;1;N;2;1;/;0;0查看分类表>
申请人	华中科技大学	申请人地址	湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华中科技大学	当前权利人	华中科技大学
发明人	谢长生;刘源;邹志军;余雪里;曾大文
代理机构	华中科技大学专利中心	代理人	曹葆青

摘要

本发明公开了一种基于光电性能高通量筛选光催化剂的方法及其专用芯片。传统的光催化剂的评价是通过构建光催化反应器，来模拟有机物的降解过程。此方法耗时长，一次只能对一个样品进行测试，而且仅能获得材料的表观降解性能。本发明公开的方法涉及一个用于测试的高通量材料芯片，以及光、电、热、磁、气氛等多个可控外场。高通量的材料芯片保证了高的筛选效率，任意多个外场的组合可以进行光电流的时域测试，光电流频域测试，光霍尔测试，光激发气敏测试等等各种测试流程，来对光催化剂用半导体材料进行评价和筛选。该方法不但可以高通量的预测材料的光催化性能，还能获得丰富的材料的物理化学性能参数，在高性能且高太阳能利用率的新型光催化剂开发中有应用前景。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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