同轴连接器及其制造方法以及超导装置

发明专利无效专利

申请号：
CN03805461.2
IPC分类号：H01R4/68;H01R24/02;H01R43/00
申请日期：
2003-02-13
申请人：
富士通株式会社

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著录项信息

专利名称	同轴连接器及其制造方法以及超导装置
申请号	CN03805461.2	申请日期	2003-02-13
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-07-13	公开/公告号	CN1639917
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01R4/68 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01R 导电连接；一组相互绝缘的电连接元件的结构组合；连接装置；集电器（开关，熔断器入H01H；波导型耦合装置入H01P 5/00；供电或配电切换装置入H02B；电线或电缆、光电电线或电缆或电气辅助设备的安装入H02G；与印刷电路电连接或印刷电路之间电连接用的印制装置入H05K） H01R4/00 两个或两个以上导电部件之间直接接触（即互相接触）的导电连接；用于实现或维持该连接的装置；具有用于导体的两个或两个以上分开连接位置并使用贯穿绝缘接触部件的导电连接（连接装置的触点零部件入H01R13/00；连接装置入H01R12/70，H01R24/00至H01R33/00；可弯曲的或可转动的线路连接器入H01R35/00；非旋转集电器入H01R41/00）〔3，2006.01〕 H01R4/58 按接触件的形状或材料区分的（H01R 4/01优先）〔3，7〕 H01R4/68 与超导体的连接或超导体之间的连接〔3〕	IPC分类号	H;0;1;R;4;/;6;8;;;H;0;1;R;2;4;/;0;2;;;H;0;1;R;4;3;/;0;0查看分类表>
申请人	富士通株式会社	申请人地址	日本神奈川变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	富士通株式会社	当前权利人	富士通株式会社
发明人	中西辉;赤濑川章彦;山中一典
代理机构	中国国际贸易促进委员会专利商标事务所	代理人	许海兰

摘要

提供一种同轴连接器及其制造方法以及超导装置。连接在同轴电缆上的同轴连接器(10)，在作为中心导体的端子(12)的表面形成有由In或In合金构成的表面被覆层(20)，由于使用与In族焊锡材料相同的In作为表面被覆层的材料，因此能够防止表面被覆层的材料与In族焊锡材料反应后在In族焊锡中生成反应生成物，由此，能够得到可以防止损坏In族焊锡的柔软性，可以经得住温度在室温与低温之间反复变化的超导装置。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	US4633050A	暂无	1985-03-26	Nickel/indium alloy for use in the manufacture of electrical contact areas electrical devices失效专利	George J. Samuels

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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