用激光束照射半导体层的激光加工装置

发明专利无效专利

申请号：
CN01104514.0
IPC分类号：--
申请日期：
1993-06-26
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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著录项信息

专利名称	用激光束照射半导体层的激光加工装置
申请号	CN01104514.0	申请日期	1993-06-26
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2002-05-22	公开/公告号	CN1350322
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	山崎舜平;张宏勇;石原浩朗
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	叶恺东

摘要

一种用激光束照射半导体层的激光加工装置,其特征在于,它包括:一个激光器,用于发射具有截面的激光束;扩展器件,用于只在截面的长度方向扩展激光束,其中激光束在长度方向的光强分布同时为所述扩展器件所均匀化,所述扩展器件至少有一个柱面透镜阵列和一个只在长度方向会聚激光束的凸透镜;支撑器件,用于支撑用扩展过的激光束处理的衬底;移动器件,用于在扩展过的激光束截面的宽度方向移动所述衬底。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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