形成混合性抗反射层的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN02108243.X
IPC分类号：--
申请日期：
2002-03-28
申请人：
矽统科技股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	形成混合性抗反射层的方法
申请号	CN02108243.X	申请日期	2002-03-28
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2003-10-15	公开/公告号	CN1448983
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	矽统科技股份有限公司	申请人地址	台湾省新竹科学工业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	联华电子股份有限公司	当前权利人	联华电子股份有限公司
发明人	李世达
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司	代理人	刘朝华

摘要

一种形成混合性抗反射层的方法，首先，提供一半导体基底，其形成有金属图案与金属间介电层，在半导体基底上方形成一混合性抗反射层，混合性抗反射层包含顶部与底部，顶部在深紫外光波长的消光系数介于0.25-0.7之间，底部在所述波长的消光系数大于1。具有使混合性抗反射层的光学性质稳定化、提升半导体元件的可靠度、降低重新制作的费用及改善杂质粒子的功效。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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