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鳍状场效晶体管的形成方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201711181814.X
  • IPC分类号:H01L21/336;H01L29/78
  • 申请日期:
    2017-11-23
  • 申请人:
    台湾积体电路制造股份有限公司
著录项信息
专利名称鳍状场效晶体管的形成方法
申请号CN201711181814.X申请日期2017-11-23
法律状态实质审查申报国家暂无
公开/公告日2018-06-05公开/公告号CN108122777A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/336IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;3;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8查看分类表>
申请人台湾积体电路制造股份有限公司申请人地址
中国台湾新竹市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人台湾积体电路制造股份有限公司当前权利人台湾积体电路制造股份有限公司
发明人黄翊铭;张世杰;杨怀德
代理机构隆天知识产权代理有限公司代理人冯志云;张福根
摘要
提供一种鳍状场效晶体管装置与其形成方法。方法包括蚀刻凹陷于栅极堆叠两侧上的基板中。方法亦包括外延成长源极/漏极区于每一凹陷中,其中每一源极/漏极区包括沿着个别源极/漏极区的上表面的盖层,且每一源极/漏极区中的第一材料在盖层与下方外延层的界面具有最高浓度。方法亦包括沉积多个金属层于源极/漏极区上,且金属层接触源极/漏极区。方法亦包括进行回火,且在回火后形成金属硅化物区于每一源极/漏极区中,其中每一金属硅化物区延伸穿过盖层并止于盖层与下方外延层的界面。

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