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纳米蒙脱土-苯乙烯原位插层聚合物的制备方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN03115777.7
  • IPC分类号:--
  • 申请日期:
    2003-03-13
  • 申请人:
    上海交通大学
著录项信息
专利名称纳米蒙脱土-苯乙烯原位插层聚合物的制备方法
申请号CN03115777.7申请日期2003-03-13
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2003-08-27公开/公告号CN1438255
优先权暂无优先权号暂无
主分类号暂无IPC分类号暂无查看分类表>
申请人上海交通大学申请人地址
上海市华山路1954号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海交通大学当前权利人上海交通大学
发明人戚嵘嵘;周持兴
代理机构上海交达专利事务所代理人毛翠莹
摘要
本发明提供一种纳米蒙脱土-苯乙烯原位插层聚合物的制备方法,采用阳离子交换法将层状无机纳米蒙脱土材料与有机插层剂进行修饰,并将修饰过的蒙脱土用分散剂处理,使蒙脱土与苯乙烯形成稳定均匀的胶体溶液,然后进行原位聚合而得到纳米蒙脱土-苯乙烯插层聚合物。本发明工艺简单,不需要特殊设备,成本低,适于大规模生产,而且在材料的性能基本保持了原有的聚苯乙烯的冲击韧性的同时提高了其拉伸强度和增大了分子量,而且热分解温度也明显提高,有着广泛的工业应用前景。

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