单一结构铁氰化物薄膜单极脉冲电沉积的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200810079438.8
IPC分类号：C25D9/08;C25D5/18;H01L21/36
申请日期：
2008-09-20
申请人：
太原理工大学

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专利名称	单一结构铁氰化物薄膜单极脉冲电沉积的制备方法
申请号	CN200810079438.8	申请日期	2008-09-20
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2009-02-04	公开/公告号	CN101358371
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25D9/08 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25D 覆层的电解或电泳生产工艺方法；电铸（印刷电路的金属沉积法制造入H05K 3/18）；工件的电解法接合；所用的装置（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2，6〕 C25D9/00 非金属电镀层（C25D 11/00、C25D 15/00优先；电泳覆层入C25D 13/00）〔2〕 C25D9/04 无机材料的〔2〕 C25D9/08 用阴极工艺方法〔2〕	IPC分类号	C;2;5;D;9;/;0;8;;;C;2;5;D;5;/;1;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;6查看分类表>
申请人	太原理工大学	申请人地址	山西省太原市迎泽西大街79号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	太原理工大学	当前权利人	太原理工大学
发明人	郝晓刚;马旭莉;王忠德;张忠林;李永国;刘世斌;孙彦平
代理机构	山西太原科卫专利事务所	代理人	戎文华

摘要

本发明公开了一种单一结构铁氰化物薄膜单极脉冲电沉积的制备方法，该方法采用单极脉冲电沉积方法在导电基体表面制备半导体金属铁氰化物薄膜，即施加一定时间的脉冲沉积电压随之控制截断时间内电流为零来实现单极脉冲，在含铁氰化钾、过渡金属盐及支持电解质的溶液中，通过调节脉冲电压、脉冲频率和脉冲通断时间(占空)比等参数分别制得“可溶性”或“不溶性”单一结构的无机半导体金属铁氰化物薄膜。本发明制备方法简单，可控性强，制得单一结构金属铁氰化物薄膜具有优良的选择性和灵敏性，是制备灵敏传感器以及电控离子分离技术的优选材料。

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