扇出型半导体封装件

发明专利有效专利

申请号：
CN201910358239.9
IPC分类号：H01L23/373;H01L23/48;H01L23/485
申请日期：
2019-04-30
申请人：
三星电子株式会社

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著录项信息

专利名称	扇出型半导体封装件
申请号	CN201910358239.9	申请日期	2019-04-30
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-03-13	公开/公告号	CN110880486A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L23/373 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L23/00 半导体或其他固态器件的零部件（H01L 25/00优先）〔2，5〕 H01L23/34 冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置〔2，5〕 H01L23/36 为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器〔2〕 H01L23/373 为便于冷却的器件材料选择〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;3;/;3;7;3;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;;;H;0;1;L;2;3;/;4;8;5查看分类表>
申请人	三星电子株式会社	申请人地址	韩国京畿道水原市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	三星电子株式会社	当前权利人	三星电子株式会社
发明人	朴盛灿;金鋿鉉;金汉;金慧利;姜丞温
代理机构	北京铭硕知识产权代理有限公司	代理人	孙丽妍;马翠平

摘要

本公开提供一种扇出型半导体封装件，所述扇出型半导体封装件包括：半导体芯片，具有有效表面和与所述有效表面相对的无效表面，所述有效表面上设置有连接焊盘；散热构件，附着到所述半导体芯片的所述无效表面并且具有比所述半导体芯片的厚度大的厚度；包封剂，包封所述半导体芯片和所述散热构件中的每个的至少一部分；以及连接构件，设置在所述半导体芯片的所述有效表面上并且包括电连接到所述连接焊盘的重新分布层，其中，所述散热构件为碳和金属的复合物。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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