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一种同质结晶体硅双面太阳电池结构

实用新型专利有效专利
  • 申请号:
    CN201820330979.2
  • IPC分类号:H01L31/068
  • 申请日期:
    2018-03-12
  • 申请人:
    南昌大学
著录项信息
专利名称一种同质结晶体硅双面太阳电池结构
申请号CN201820330979.2申请日期2018-03-12
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日公开/公告号
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L31/068
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;3;1;/;0;6;8查看分类表>
申请人南昌大学申请人地址
江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人南昌大学当前权利人南昌大学
发明人黄海宾;周浪;袁吉仁;高超;岳之浩
代理机构南昌新天下专利商标代理有限公司代理人施秀瑾
摘要
一种同质结晶体硅双面太阳电池结构,以n型晶体硅片作为基底,发射极面分为发射极‑导电区域和钝化‑进光区域:发射极‑导电区域由基底向外依次由重掺杂p型晶体硅发射极层和金属栅线I构成,钝化‑进光区域由钝化减反射层I构成;背电场面分为钝化‑进光区域和背电场‑导电区域:钝化‑进光区域为钝化减反射层II;背电场‑导电区域由基底向外依次为重掺杂n型晶体硅、金属栅线II。本实用新型在保持晶体硅太阳电池双面进光特性的前提下,获得了更高开路电压和短路电流,最大程度的提高晶体硅太阳电池的发电能力。

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