一种表面清洁度高的籽晶及其清洁方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202110749773.X
IPC分类号：C30B29/36;C30B33/00;B08B5/02;B08B13/00;C30B23/00;C30B25/00
申请日期：
2021-07-01
申请人：
山东天岳先进科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	一种表面清洁度高的籽晶及其清洁方法
申请号	CN202110749773.X	申请日期	2021-07-01
法律状态	公开	申报国家	暂无
公开/公告日	2021-10-22	公开/公告号	CN113529171A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C30B29/36 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C30 晶体生长〔3〕 C30B 单晶生长（用超高压的，例如用于金刚石形成的入B01J 3/06）；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼（金属或合金的区熔精炼入C22B）；具有一定结构的均匀多晶材料的制备（金属铸造，按同样工艺或装置的其他物质铸造入B22D；塑料的加工入B29；改变金属或合金的物理结构入C21D、C22F）；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理（用于半导体器件或元件生产的入H01L）；其所用的装置〔3〕 C30B29/00 以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料〔3，5〕 C30B29/10 无机化合物或组合物〔3〕 C30B29/36 碳化物〔3〕	IPC分类号	C;3;0;B;2;9;/;3;6;;;C;3;0;B;3;3;/;0;0;;;B;0;8;B;5;/;0;2;;;B;0;8;B;1;3;/;0;0;;;C;3;0;B;2;3;/;0;0;;;C;3;0;B;2;5;/;0;0查看分类表>
申请人	山东天岳先进科技股份有限公司	申请人地址	山东省济南市槐荫区天岳南路99号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	山东天岳先进科技股份有限公司	当前权利人	山东天岳先进科技股份有限公司
发明人	李加林;刘星;张宁;姜岩鹏;刘家朋
代理机构	北京君慧知识产权代理事务所（普通合伙）	代理人	冯妙娜

摘要

本申请公开了一种表面清洁度高的籽晶及其清洁方法，属于半导体材料清洁技术领域。使用该清洁方法清洁籽晶后，能够降低籽晶生长面上的颗粒数量，提高籽晶的面型质量，并且使用该籽晶产出的晶体质量好，能够有效减少微管、多型及位错等晶体缺陷。其中籽晶生长面上，颗粒粒径＞1μm的颗粒个数＜10个，粒径在0.5μm‑1μm的颗粒个数＜20个，粒径在0.1μm‑0.5μm的颗粒个数＜30个，粒径在0.02μm‑0.1μm的颗粒个数＜70个。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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