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用于移除浸润式微影溶液的组合物及制造半导体器件的方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN200610105645.7
  • IPC分类号:G03F7/42;G03F7/20;G03F7/16
  • 申请日期:
    2006-07-17
  • 申请人:
    海力士半导体有限公司
著录项信息
专利名称用于移除浸润式微影溶液的组合物及制造半导体器件的方法
申请号CN200610105645.7申请日期2006-07-17
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2007-05-09公开/公告号CN1959542
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/42IPC分类号G;0;3;F;7;/;4;2;;;G;0;3;F;7;/;2;0;;;G;0;3;F;7;/;1;6查看分类表>
申请人海力士半导体有限公司申请人地址
韩国京畿道 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人海力士半导体有限公司当前权利人海力士半导体有限公司
发明人郑载昌;李晟求
代理机构北京市柳沈律师事务所代理人封新琴;巫肖南
摘要
本发明披露一种用于移除浸润式微影溶液的组合物。该组合物包括有机溶剂与酸性化合物。另外还揭示了一种用来制造半导体器件的方法,其包括浸润式微影法。当利用浸润式微影法来形成光阻剂图案时,利用浸润式微影法曝光器,在形成于底层上的阻剂薄膜上方进行曝光过程。然后,将该组合物滴在晶片上,以移除在该光阻剂薄膜上的残余浸润式微影溶液,由此改良水痕缺陷现象。

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