制造硅传感器的方法以及硅传感器

发明专利无效专利

申请号：
CN02810445.5
IPC分类号：--
申请日期：
2002-03-21
申请人：
VTI技术有限公司

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	制造硅传感器的方法以及硅传感器
申请号	CN02810445.5	申请日期	2002-03-21
法律状态	放弃专利权	申报国家	中国
公开/公告日	2004-07-07	公开/公告号	CN1511259
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	VTI技术有限公司	申请人地址	芬兰万塔变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	VTI技术有限公司	当前权利人	VTI技术有限公司
发明人	H·奎斯马;J·拉登佩雷;R·穆蒂凯宁
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	蔡民军

摘要

本发明涉及一种制造硅传感器结构的方法以及一种硅传感器。根据该方法，通过在单晶硅薄片(10)内蚀刻开口来形成至少一个弹簧元件轮廓(7)和至少一个与弹簧元件结构(7)连接的测震质量(8)的步骤。根据本发明，延伸通过该硅薄片深度的开口和沟槽(8)通过干蚀刻法制造，而用于控制该弹簧元件轮廓(7)弹簧常数的蚀刻方法以湿蚀刻法为根据。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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