具抗硫化电极结构的晶片电阻及晶片排阻

实用新型专利无效专利

申请号：
CN201020128439.X
IPC分类号：H01C7/00
申请日期：
2010-03-03
申请人：
华新科技股份有限公司

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著录项信息

专利名称	具抗硫化电极结构的晶片电阻及晶片排阻
申请号	CN201020128439.X	申请日期	2010-03-03
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01C7/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01C 电阻器 H01C7/00 用一层或多层薄膜或涂敷膜构成的不可调电阻器；由含或不包含绝缘材料的粉末导电材料或粉末半导体材料构成的不可调电阻器（由疏松的粉末材料或颗粒材料组成的入H01C 8/00；有电位跃变势垒或表面势垒的电阻器，如场效应电阻器入H01L 29/00；对电磁辐射或微粒子辐射敏感的半导体器件，如光敏电阻器入H01L 31/00；磁场控制电阻器入H01L 43/08体负阻效应器件入H01L 47/00）〔2〕	IPC分类号	H;0;1;C;7;/;0;0查看分类表>
申请人	华新科技股份有限公司	申请人地址	中国台湾台北市内湖区瑞光路480号10楼变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	华新科技股份有限公司	当前权利人	华新科技股份有限公司
发明人	郭俊雄
代理机构	北京中原华和知识产权代理有限责任公司	代理人	寿宁;张华辉

摘要

本实用新型是有关于一种具抗硫化电极结构的晶片电阻及晶片排阻，该晶片电阻包含一基板、两形成于基板两侧的银电极、一形成于基板上并叠接两侧银电极的电阻，一覆盖该电阻的保护层以及一形成于基板上表面而覆盖银电极裸露部分的抗硫化材，藉由抗硫化材可确保银电极不会与外在环境的硫化物化合变成硫化银，避免与电阻交界面接触不良的情形发生，进而提升电阻在高硫化可靠度测试的产品稳定性。

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