HEMT器件结构及其制备方法

发明专利有效专利

申请号：
CN202010669544.2
IPC分类号：H01L29/417;H01L29/45;H01L29/47;H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335;H01L21/28
申请日期：
2020-07-13
申请人：
中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	HEMT器件结构及其制备方法
申请号	CN202010669544.2	申请日期	2020-07-13
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-11-17	公开/公告号	CN111952356A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L29/417 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L29/00 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L 31/00至H01L 47/00，H01L 51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L 23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00）〔2，6〕 H01L29/40 按其电极特征区分的〔2〕 H01L29/41 以其形状、相对尺寸或位置为特征的〔6〕 H01L29/417 通有待整流、放大或切换电流的〔6〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;9;/;4;1;7;;;H;0;1;L;2;9;/;4;5;;;H;0;1;L;2;9;/;4;7;;;H;0;1;L;2;9;/;0;6;;;H;0;1;L;2;9;/;7;7;8;;;H;0;1;L;2;1;/;3;3;5;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8查看分类表>
申请人	中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））	申请人地址	广东省广州市增城区朱村街朱村大道西78号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））	当前权利人	中国电子产品可靠性与环境试验研究所（（工业和信息化部电子第五研究所）（中国赛宝实验室））
发明人	施宜军;陈思;付志伟;尧彬;陈义强
代理机构	广州华进联合专利商标代理有限公司	代理人	暂无

摘要

本申请涉及半导体技术领域，具体公开一种HEMT器件结构及其制备方法，结构包括HEMT异质结构层和电极层，所述HEMT异质结构层中设置有第一凹槽；电极层包括设置于所述HEMT异质结构层上的栅极、漏极以及贴近设置的第一源极、第二源极，所述漏极和所述第一源极分别与所述HEMT异质结构层欧姆接触，所述第二源极与所述HEMT异质结构层肖特基接触，且所述第二源极设置于所述第一凹槽内。在漏极施加正向偏置电压时，第二源极对应位置下的二维电子气能够较快被耗尽，HEMT器件的电流可以在较低的电压下达到饱和状态，可以避免因电磁干扰造成的电压波动对器件工作特性的影响，使得器件具有较低的动态功耗。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供