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曝光方法和系统

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201010597803.1
  • IPC分类号:G03F7/20
  • 申请日期:
    2010-12-21
  • 申请人:
    无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司
著录项信息
专利名称曝光方法和系统
申请号CN201010597803.1申请日期2010-12-21
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2012-07-11公开/公告号CN102566288A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/20IPC分类号G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司申请人地址
江苏省无锡市太湖国际科技园菱湖大道180号-6 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人无锡迪思微电子有限公司当前权利人无锡迪思微电子有限公司
发明人陈辉;黄玮;陈刚;叶序明;沈佳
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司代理人常亮;李辰
摘要
本发明实施例公开了一种曝光方法,包括:提供第一批次晶片,该批次晶片被依次分为一个或多个部分;对所述第一批次晶片中的第一晶片进行曝光,得出该批次晶片曝光能量的基准值;根据预先存储的膜层的厚度,依次查询出各部分晶片对应的膜层厚度;根据该批次晶片曝光能量的基准值,以及预设的曝光能量调整值与膜层厚度的对应关系表达式,计算得出各部分晶片的曝光能量修正值;按照各部分晶片的曝光能量修正值,依次对各部分晶片进行曝光。本发明通过预先设置曝光能量调整值与膜层厚度的对应关系表达式,使曝光能量修正值的计算更加精确,从而使器件的CD满足目标CD的需求,避免了不必要的返工,缩短了产品的生产周期。

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