含氢硅烷衍生物、其制造方法及含硅薄膜的制造法

发明专利有效专利

申请号：
CN201180036572.X
IPC分类号：C07F7/02;C07F7/10;C23C16/42;H01L21/316;H01L21/318
申请日期：
2011-05-30
申请人：
东曹株式会社;公益财团法人相模中央化学研究所

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著录项信息

专利名称	含氢硅烷衍生物、其制造方法及含硅薄膜的制造法
申请号	CN201180036572.X	申请日期	2011-05-30
法律状态	授权	申报国家	暂无
公开/公告日	2013-05-29	公开/公告号	CN103124734A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C07F7/02 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C07 有机化学〔2〕 C07F 含除碳、氢、卤素、氧、氮、硫、硒或碲以外的其他元素的无环，碳环或杂环化合物（含金属的卟啉入C07D 487/22；高分子化合物入C08） C07F7/00 含周期表第4或14族元素的化合物 C07F7/02 硅化合物	IPC分类号	C;0;7;F;7;/;0;2;;;C;0;7;F;7;/;1;0;;;C;2;3;C;1;6;/;4;2;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;6;;;H;0;1;L;2;1;/;3;1;8查看分类表>
申请人	东曹株式会社;公益财团法人相模中央化学研究所	申请人地址	日本山口县变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	东曹株式会社,公益财团法人相模中央化学研究所	当前权利人	东曹株式会社,公益财团法人相模中央化学研究所
发明人	多田贤一;岩永宏平;山本俊树;摩庭笃
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	沈雪

摘要

本发明提供一种在500℃以下的低温下即使不使用等离子体等也可以高效地制作含硅薄膜的材料。本发明使氯硅烷衍生物(3)和化合物M2Z(4)进行反应，制造通式(1’)所示的含氢硅烷衍生物，并以该含氢硅烷衍生物作为材料制造含硅薄膜，在通式(1’)中，R1及R2分别独立地表示碳原子数3~12的烷基。在Z为异氰酸基或异硫氰酸基的情况下，M2表示钠原子等。在Z为氨基、NHR3所示的一取代氨基或NR4R5所示的二取代氨基的情况下，M2表示氢原子等。R3表示任选被氟原子取代的碳原子数1~12的烷基。R4及R5分别独立地表示碳原子数1~4的烷基。在Z为碳原子数2~6的链烯基的情况下，M2表示卤化镁基团。

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