热超声倒装芯片键合机

发明专利无效专利

申请号：
CN200610031493.0
IPC分类号：H01L21/607;H01L21/68;H01L21/00;B23K20/10;B23K37/04;B29C65/08
申请日期：
2006-04-12
申请人：
中南大学

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	热超声倒装芯片键合机
申请号	CN200610031493.0	申请日期	2006-04-12
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2007-10-17	公开/公告号	CN101055846
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/607 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/50 应用H01L 21/06至H01L 21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的〔2〕 H01L21/60 引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流〔2〕 H01L21/607 包括运用机械振动的，例如超声振动〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;0;7;;;H;0;1;L;2;1;/;6;8;;;H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;B;2;3;K;2;0;/;1;0;;;B;2;3;K;3;7;/;0;4;;;B;2;9;C;6;5;/;0;8查看分类表>
申请人	中南大学	申请人地址	湖南省长沙市麓山南路1号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中南大学	当前权利人	中南大学
发明人	易幼平;李军辉;隆志力;王福亮;谢敬华;韩雷;钟掘
代理机构	中南大学专利中心	代理人	龚灿凡

摘要

热超声倒装芯片键合机，主要包括承载倒装芯片的运动平台、对倒装芯片与基板实施精确定位的视觉系统、对倒装芯片进行键合的超声换能系统、在键合过程中完成芯片的自动拾取的真空吸附系统及加热键合工作台、使工作台保持恒定的温度的温控系统。本发明采用超声键合技术，键合温度为150～200℃，可减小键合过程温度对芯片的影响，提高焊接可靠性；超声能使金属软化的效果是热软化的100倍，降低了焊接的功率，提高了焊接效率，节约了能源；热超声倒装键合无需添加助焊剂，无铅焊接，绿色环保；热超声倒装键合效率高，键合时间少于300毫秒，适应于自动化生产。本发明适用于1×1～5×5mm微电子及LED芯片的倒装键合。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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