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一种硒气压可控的铜铟镓硒薄膜硒化装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201510295806.2
IPC分类号：H01L31/18;H01L21/67;C01B19/00
申请日期：
2015-06-02
申请人：
中国科学院上海技术物理研究所

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法律信息

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著录项信息

专利名称	一种硒气压可控的铜铟镓硒薄膜硒化装置
申请号	CN201510295806.2	申请日期	2015-06-02
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2015-09-23	公开/公告号	CN104934502A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;2;1;/;6;7;;;C;0;1;B;1;9;/;0;0查看分类表>
申请人	中国科学院上海技术物理研究所	申请人地址	上海市虹口区玉田路500号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院上海技术物理研究所	当前权利人	中国科学院上海技术物理研究所
发明人	褚君浩;孙雷;马建华;姚娘娟;江锦春
代理机构	上海新天专利代理有限公司	代理人	郭英

摘要

本发明公开了一种可控制硒气压的制备铜铟镓硒薄膜的硒化装置，该硒化装置由石英腔体、真空系统、气体流量控制系统、加热系统和石墨盒构成，其特征在于，石墨盒上除了常规的上盖以外，还在上盖中间开孔，并在此开孔中放置一个圆锥体型小盖子，通过改变小盖子质量和开孔面积可以调节石墨盒内的硒气压。本发明的优点在于装置提高了铟镓硒薄膜固态源硒化过程的可控性、稳定性和重复性。

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