一种半导体器件及其制造方法和电子装置发明专利
申请号：CN201410025303.9
LOC分类号:H01L29/78
IPC结构图谱：
- B作业；运输
- B2成型
- B23机床；其他类目中不包括的金属加工
- B23K钎焊或脱焊；焊接；用钎焊或焊接方法包覆或镀敷；局部加热切割，如火焰切割；用激光束加工（用金属的挤压来制造金属包覆产品入B21C 23/22；用铸造方法制造衬套或包覆层入B22D 19/08；用浸入方式的铸造入B22D 23/04；用烧结金属粉末制造复合层入B22F 7/00；机床上的仿形加工或控制装置入B23Q；不包含在其他类目中的包覆金属或金属包覆材料入C23C；燃烧器入F23D）
- B23K3/00用于钎焊，如硬钎焊或脱焊的工具、设备或专用附属装置，不专门适用于特殊方法的（用于钎焊的材料入B23K 35/00）〔5〕
- B23K3/04加热设备（焊接灯或喷焊器入F23D；一般电加热入H05B）
- B23K3/047用电的〔5〕
