一种铝电解槽侧墙用异型Si3N4结合SiC砖

发明专利无效专利

申请号：
CN200410030783.4
IPC分类号：C25C3/08;F27D1/06
申请日期：
2004-04-09
申请人：
清华大学

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著录项信息

专利名称	一种铝电解槽侧墙用异型Si3N4结合SiC砖
申请号	CN200410030783.4	申请日期	2004-04-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2005-03-09	公开/公告号	CN1590589
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C25C3/08 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C25 电解或电泳工艺；其所用设备〔4〕 C25C 电解法生产、回收或精炼金属的工艺；其所用的设备（阳极或阴极保护入 C23F13/00；单晶生长入C30B）〔2〕 C25C3/00 由熔融液电解法电解生产、回收或精炼金属（C25C 5/00优先）〔2〕 C25C3/06 铝的〔2〕 C25C3/08 电解槽的结构，例如底、壁、阴极〔2〕	IPC分类号	C;2;5;C;3;/;0;8;;;F;2;7;D;1;/;0;6查看分类表>
申请人	清华大学	申请人地址	北京市－82信箱变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	清华大学	当前权利人	清华大学
发明人	潘伟;黄朝晖;齐龙浩;苗赫濯
代理机构	暂无	代理人	暂无

摘要

本发明涉及一种高温炉体铝电解槽侧墙用异型Si3N4结合SiC砖耐火砖，属于耐火材料制备技术领域。其特征在于：所述在铝电解槽侧墙用Si3N4结合SiC砖体的一个面积较大的非工作面上开设一个直角梯形凸起，所述直角梯形凸起与砖体高度方向的一个端面平齐，宽度与Si3N4结合SiC砖的宽度一致，构成一个整体带直角梯形凸起的Si3N4结合SiC砖。由于本发明提供的Si3N4结合SiC砖体的顶部直角梯形凸起部分可以将碳质耐火砖顶部与高温空气隔绝，可避免碳质耐火砖的氧化损毁，延长复合砖体的寿命。Si3N4结合SiC砖体是电绝缘体，可以防止碳质耐火砖侧墙的漏电，节约电能。这种复合结构，既利用了Si3N4结合SiC砖有效防止被高温融体渗透和侵蚀的优点，又利用了碳质耐火砖高导热较低成本的特点。

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