太阳能电池的制造方法及太阳能电池

发明专利有效专利

申请号：
CN201811027520.6
IPC分类号：H01L31/18;H01L31/068;H01L31/0236;H01L31/0224
申请日期：
2018-09-04
申请人：
苏州钱正科技咨询有限公司

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著录项信息

专利名称	太阳能电池的制造方法及太阳能电池
申请号	CN201811027520.6	申请日期	2018-09-04
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2019-01-11	公开/公告号	CN109192816A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L31/18 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L31/058 （转入H01L 31/0525，H02S 40/44） H01L31/18 专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;6;8;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;3;6;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;2;4查看分类表>
申请人	苏州钱正科技咨询有限公司	申请人地址	江苏省苏州市相城区元和街道嘉元路959号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	苏州元联科技创业园管理有限公司	当前权利人	苏州元联科技创业园管理有限公司
发明人	管先炳
代理机构	北京华仁联合知识产权代理有限公司	代理人	陈建

摘要

本发明涉及太阳能电池制造方法及太阳能电池，该太阳能电池制造方法包括以下步骤：在所述N型单晶硅片的上下表面形成多个平行排列的对应的第一条形沟槽和第二条形沟槽，多个所述第一条形沟槽与多个所述第二条形沟槽在垂直方向上均不重叠，所述第一条形沟槽与相应的所述第二条形沟槽之间单晶硅层的厚度为30‑50微米；接着在所述N型单晶硅片的上表面以及所述第一条形沟槽的底部形成硅纳米线阵列；接着形成P型硼扩散层、P型重掺杂硼扩散区以及N型重掺杂磷扩散区；接着在所述N型单晶硅片的上下表面分别形成钝化层和电极。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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