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半导体装置

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010076601.6
  • IPC分类号:H02M7/00
  • 申请日期:
    2020-01-23
  • 申请人:
    英飞凌科技股份有限公司
著录项信息
专利名称半导体装置
申请号CN202010076601.6申请日期2020-01-23
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2020-08-07公开/公告号CN111509996A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H02M7/00IPC分类号H;0;2;M;7;/;0;0查看分类表>
申请人英飞凌科技股份有限公司申请人地址
德国瑙伊比贝尔格市 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人英飞凌科技股份有限公司当前权利人英飞凌科技股份有限公司
发明人D·多梅斯
代理机构永新专利商标代理有限公司代理人邬少俊
摘要
本发明公开了一种半导体装置,其包括:在第一端子(DC+)和第二端子(AC)之间并联电耦合的至少两个第一类型的开关器件(HSn);以及在第二端子(AC)和第三端子(DC‑)之间并联电耦合的至少两个第二类型的开关器件(LSm)。第一类型的开关器件(HSn)和第二类型的开关器件(LSm)布置在功率半导体模块中,功率半导体模块包括第一纵向侧和第二纵向侧(L1,L2)以及第一窄侧和第二窄侧(B1,B2)。第一类型的开关器件(HSn)和第二类型的开关器件(LSm)在平行于第一纵向侧和第二纵向侧(L1,L2)的第一水平方向(x)上延伸的至少一行中彼此靠近布置,使得在至少一行中的每行内,不超过两个相同类型的开关器件被直接连续布置。

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