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一种提高大尺寸芯片光效的外延结构及其生长方法

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201310032282.9
  • IPC分类号:H01L33/04;H01L33/06;H01L33/00
  • 申请日期:
    2013-01-28
  • 申请人:
    上海博恩世通光电股份有限公司
著录项信息
专利名称一种提高大尺寸芯片光效的外延结构及其生长方法
申请号CN201310032282.9申请日期2013-01-28
法律状态权利终止申报国家中国
公开/公告日2013-07-03公开/公告号CN103187497A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L33/04IPC分类号H;0;1;L;3;3;/;0;4;;;H;0;1;L;3;3;/;0;6;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人上海博恩世通光电股份有限公司申请人地址
上海市徐汇区虹桥路1号港汇广场1座4706室 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海博恩世通光电股份有限公司当前权利人上海博恩世通光电股份有限公司
发明人覃晓燕;吴迅飞;谢文通
代理机构上海光华专利事务所代理人李仪萍
摘要
本发明提供一种提高大尺寸芯片光效的外延结构制备方法,该方法包括以下步骤:在PSS衬底上生长GaN缓冲层;在该GaN缓冲层上生长UGaN层;在所述U型GaN层上生长掺杂Si的N型GaN层;交替生长形成掺杂Si和Al的第一NAlGaN层和不掺杂Si的第一UGaN层;交替生长38-40个周期;接着交替形成生长掺杂Si和Al的第二NAlGaN和不掺杂Si的第二UGaN层,交替生长25-26个周期;接着交替生长形成掺杂Si和Al的第三NAlGaN层和掺杂Si的第三NGaN层,交替生长15-16个周期;周期性生长有源层MQW和PGaN层。本发明采用NAlGaN/NGaN超晶格结构取代传统N型GaN层(NGaN)的方法有效提高了LED的外量子发光效率,使得器件可以提高电子的迁移率,可以降低大尺寸芯片的正向电压、提高发光效率。

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