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一种干涉曝光系统及其曝光方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210117916.6
  • IPC分类号:G03F7/20
  • 申请日期:
    2012-04-22
  • 申请人:
    上海微电子装备有限公司
著录项信息
专利名称一种干涉曝光系统及其曝光方法
申请号CN201210117916.6申请日期2012-04-22
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2013-10-30公开/公告号CN103376663A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G03F7/20IPC分类号G;0;3;F;7;/;2;0查看分类表>
申请人上海微电子装备有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区张东路1525号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海微电子装备(集团)股份有限公司当前权利人上海微电子装备(集团)股份有限公司
发明人许琦欣;何帅;王帆
代理机构北京连和连知识产权代理有限公司代理人王光辉
摘要
一种干涉曝光系统,用于对涂有光刻胶的基底曝光,入射光通过分束装置分成至少两束光束,对应形成至少两个干涉臂;每个干涉臂设置有快门,控制所在干涉臂是否参与曝光及曝光时间;至少一个干涉臂设置有相位补偿器,用于改变所在干涉臂的光束相位。一种干涉曝光方法,包括提供一基底,于基底表面涂覆光刻胶;提供入射光,将所述入射光分成两束光束,对应形成两个干涉臂;调节两个干涉臂中的一个干涉臂的光束相位,使所述干涉臂的光束相位改变180°╳N,N为整数;利用两个干涉臂对基底上的光刻胶进行多次曝光,并旋转基底,在基底光刻胶上形成多组干涉条纹相互叠加的干涉图案。本发明的优点在于能够在正负光刻胶上灵活形成孔和柱图形。

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