一种氮化物外延装置及方法

发明专利无效专利

申请号：
CN201510005154.4
IPC分类号：C23C16/34;C23C16/44;C23C14/06;C23C14/34;C30B25/08
申请日期：
2015-01-06
申请人：
中国科学院半导体研究所

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专利名称	一种氮化物外延装置及方法
申请号	CN201510005154.4	申请日期	2015-01-06
法律状态	撤回	申报国家	中国
公开/公告日	2015-04-22	公开/公告号	CN104532208A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C16/34 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C16/00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积（CVD）工艺（反应溅射或真空蒸发入C23C 14/00）〔4〕 C23C16/22 以沉积金属材料以外之无机材料为特征的〔4〕 C23C16/30 沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物〔4〕 C23C16/34 氮化物〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;6;/;3;4;;;C;2;3;C;1;6;/;4;4;;;C;2;3;C;1;4;/;0;6;;;C;2;3;C;1;4;/;3;4;;;C;3;0;B;2;5;/;0;8查看分类表>
申请人	中国科学院半导体研究所	申请人地址	北京市海淀区清华东路甲35号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中国科学院半导体研究所	当前权利人	中国科学院半导体研究所
发明人	张硕;段瑞飞;曾一平;王军喜;李晋闽
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司	代理人	宋焰琴

摘要

本发明公开了一种的氮化物外延装置，包括真空腔室、溅射腔室和至少一个外延生长腔室；所述溅射腔室和至少一个外延生长腔室位于所述真空腔室内，所述溅射腔室用于在衬底上生长缓冲层，所述至少一个外延生长腔室用于在生长了缓冲层的衬底上外延生长氮化物。本发明具有两个或者以上的独立生长室，其中一个专用于使用溅射方法生长AlN缓冲层，能够降低生长温度，减少工艺周期时间，增加产出；其余腔室使用MOCVD方法在溅射AlN缓冲层上外延氮化物薄膜，也可以根据生长需要增加更多独立生长室做特定生长用途。各个独立生长室可以放置于一个公共的真空洁净环境中，外延片通过可以承受一定温度工作的机械手在各个腔室之间传递。

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