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特高频双模预分频电路结构及其集成电路芯片结构

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210287662.2
  • IPC分类号:H03K23/00
  • 申请日期:
    2012-08-13
  • 申请人:
    无锡华润矽科微电子有限公司
著录项信息
专利名称特高频双模预分频电路结构及其集成电路芯片结构
申请号CN201210287662.2申请日期2012-08-13
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2014-02-19公开/公告号CN103595401A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H03K23/00IPC分类号H;0;3;K;2;3;/;0;0查看分类表>
申请人无锡华润矽科微电子有限公司申请人地址
江苏省无锡市无锡太湖国际科技园菱湖大道180号-6 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人华润微集成电路(无锡)有限公司当前权利人华润微集成电路(无锡)有限公司
发明人黄立朝;刘冰;周景晖;程学农
代理机构上海智信专利代理有限公司代理人王洁
摘要
本发明涉及一种特高频双模预分频电路结构及其集成电路芯片结构,属于电路结构技术领域。该特高频双模预分频电路结构包括反馈回路和多级分频回路,反馈回路的输入端连接待分频的输入信号,反馈回路的输出端连接多级分频回路的输入端,多级分频回路的输出端为分频信号输出端。从而提供一种使用ECL电路结构替代CMOS工艺实现的预分频结构。并进一步对集成电路芯片结构进行改进,在P型衬底层和金属层之间增加N型阱,N型阱与金属层和衬底层之间分别形成有第一寄生电容和第二寄生电容,从而实现有效提升发射极耦合逻辑电路结构预分频器的频响特性,提高电路在特高频信号下工作的响应速度的特高频双模预分频电路结构及其集成电路芯片结构。

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