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一种金合金及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210513938.4
  • IPC分类号:C22C5/02;C22C1/02
  • 申请日期:
    2012-12-05
  • 申请人:
    昆明贵金属研究所
著录项信息
专利名称一种金合金及其制备方法
申请号CN201210513938.4申请日期2012-12-05
法律状态暂无申报国家中国
公开/公告日2013-04-03公开/公告号CN103014401A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C22C5/02IPC分类号C;2;2;C;5;/;0;2;;;C;2;2;C;1;/;0;2查看分类表>
申请人昆明贵金属研究所申请人地址
云南省昆明市高新技术开发区科技路988号(昆明贵金属研究所) 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人昆明贵金属研究所当前权利人昆明贵金属研究所
发明人谢明;陈永泰;张吉明;杨有才;刘满门;王塞北;杨云峰;胡洁琼;崔浩
代理机构昆明今威专利商标代理有限公司代理人赛晓刚
摘要
本发明公开了一种贵金属新型金铋锗锡合金及其制备方法,属于电子封装材料领域。金合金的重量百分比化学成份为(重量%):1.0~10.0Bi,1.0~10.0Ge,1.0~10.0Sn,1.0~5.0Sb,1.0~5.0Se,0.1~1.0Pd,0.1~1.0La,0.1~1.0In,余量为Au。其制备方法为:将金(Au)、铋(Bi)、锗(Ge)、锡(Sn)、锑(Sb)、硒(Se)、钯(Pd)、镧(La)、铟(In)等合金元素,按其合金化学成分设计配方比例配好,在真空高频或中频熔炼炉中制备成AuBiGeSnSbSePdLaIn多元合金,合金再通过浇铸成形、轧制、拉拔、热处理等工艺加工,最终形状为片状、板状、棒状、丝状等成品。该合金具有良好的润湿性、低熔点、耐腐蚀、无毒性、对人体无刺激性等特点,主要应用于半导体器件、集成电路、模块电路等封装和器件的焊接,具有广阔的应用前景。

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