能输出单一离子能量的离子束发射源

发明专利无效专利

申请号：
CN200810018369.X
IPC分类号：C23C14/24;H01L21/3065;C23F4/00;H01J37/08
申请日期：
2008-06-03
申请人：
西安工业大学

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专利名称	能输出单一离子能量的离子束发射源
申请号	CN200810018369.X	申请日期	2008-06-03
法律状态	权利终止	申报国家	暂无
公开/公告日	2008-10-15	公开/公告号	CN101285167
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C23C14/24 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C2 冶金 C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制〔2〕 C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆（挤压法制造包覆金属的产品入B21C23/22；通过将预先存在的薄层连接到制品上的方法用金属进行镀覆处理的见各有关位置，例如B21D39/00，B23K；玻璃的金属化入C03C；砂浆、混凝土、人造石、陶瓷或天然石的金属化入C04B41/00；金属的搪瓷或向金属上镀覆玻璃体层入c23D；用电解法或电泳法处理金属表面或镀覆金属入C25D；单晶膜生长入C30B；纺织品的金属化入D06M11/83；用局部金属化法装饰纺织品入D06Q1/04）〔4〕 C23C14/00 通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆〔4，2006.01〕 C23C14/22 以镀覆工艺为特征的〔4〕 C23C14/24 真空蒸发〔4〕	IPC分类号	C;2;3;C;1;4;/;2;4;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5;;;C;2;3;F;4;/;0;0;;;H;0;1;J;3;7;/;0;8查看分类表>
申请人	西安工业大学	申请人地址	陕西省西安市金花北路4号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	西安工业大学	当前权利人	西安工业大学
发明人	徐均琪;杭凌侠;弥谦;苏俊宏;朱昌;严一心
代理机构	西安新思维专利商标事务所有限公司	代理人	黄秦芳

摘要

本发明涉及一种能输出单一离子能量的离子束发射源，以克服现有技术存在的引出离子并非具有单一能量，对薄膜质量影响较大，难以实现离子束辅助的重复性的问题。其技术方案是：包括气体放电室、聚焦磁场产生单元、离子能量选择器和扩束磁场产生单元，气体放电室中包括阳极、阴极和引出栅极板；所述离子能量选择器包括相对设置的上磁极板、下磁极板以及相对设置的第一电极板和第二电极板构成的选择筒，上磁极板、第一电极板、下磁极板和第二电极板之间夹设有极板绝缘件，选择筒两端的入口盖板和出口盖板中部均设置有能带限制通孔。与现有技术相比，本发明的优点是：1、能够产生、引出单一能量的离子；2、离子能量可调；3、制造工艺简单。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
1	CN2680683Y	暂无	2004-02-19	真空离子镀膜机失效专利	李放
2	CN201217686Y	暂无	2008-06-03	一种能输出单一离子能量的离子束发射源失效专利	西安工业大学

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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