一种电场定向凝固提纯多晶硅的制备方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910051922.4
IPC分类号：C01B33/037
申请日期：
2009-05-25
申请人：
高向瞳

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著录项信息

专利名称	一种电场定向凝固提纯多晶硅的制备方法
申请号	CN200910051922.4	申请日期	2009-05-25
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2010-12-01	公开/公告号	CN101898763A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	C01B33/037 ? IPC结构图谱： C 化学；冶金 C0 化学 C01 无机化学 C01B 非金属元素；其化合物（制备元素或二氧化碳以外无机化合物的发酵或用酶工艺入C12P 3/00；用电解法或电泳法生产非金属元素或无机化合物入C25B） C01B33/00 硅；其化合物（C01B 21/00，C01B 23/00优先；过硅酸盐入 C01B 15/14；碳化物入C01B32/956）〔1，3，2006.01〕 C01B33/02 硅（形成单晶或有一定结构的均匀多晶材料入C30B）〔5〕 C01B33/037 纯化（用区域熔融入C30B 13/00）〔5〕	IPC分类号	C;0;1;B;3;3;/;0;3;7查看分类表>
申请人	高向瞳	申请人地址	上海市虹口区玉田路500号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	高向瞳	当前权利人	高向瞳
发明人	高向瞳;赵百通
代理机构	上海京沪专利代理事务所（普通合伙）	代理人	周志宏

摘要

本发明涉及一种电场定向凝固提纯多晶硅的制备方法。其包括以下步骤：把硅料加入封密式提纯炉石墨坩锅内，净化封密式提纯炉，加热器加热熔融封密式提纯炉石墨坩锅内的硅料，硅料完全溶化并保温；对石墨坩锅内的呈完全熔融状态的硅料施加电场，在电场作用的同时加热器继续保温，2-6小时；通过石墨坩锅底部降温，使其从底部向上进行定向凝固，全部凝固后硅锭快速冷却，并在1350-1380℃作退火处理；硅锭出炉，精整去头尾完成提纯得到高纯度的多晶硅。与现有技术相比，通过加电场进行定向凝固，使金属杂质在电场的作用下聚集到液态硅表面，通过从底部到顶部的定向凝固，让大部分金属杂质凝固在硅锭表面，最后去除硅锭头尾，将得到纯度较高的多晶硅，从而提高了太阳能电池转换效率。

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