ITO透明导电层的制备方法、LED芯片及发光二极管

发明专利有效专利

申请号：
CN201510725379.7
IPC分类号：H01L33/42;H01L33/00
申请日期：
2015-10-29
申请人：
湘能华磊光电股份有限公司

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著录项信息

专利名称	ITO透明导电层的制备方法、LED芯片及发光二极管
申请号	CN201510725379.7	申请日期	2015-10-29
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2016-03-16	公开/公告号	CN105405948A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/42 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/36 以电极为特征的〔2010.01〕 H01L33/40 相应的材料〔2010.01〕 H01L33/42 透明材料〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;4;2;;;H;0;1;L;3;3;/;0;0查看分类表>
申请人	湘能华磊光电股份有限公司	申请人地址	湖南省郴州市白露塘有色金属产业园区变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	湘能华磊光电股份有限公司	当前权利人	湘能华磊光电股份有限公司
发明人	徐平;苗振林;周佐华
代理机构	长沙智嵘专利代理事务所	代理人	李杰

摘要

本发明公开了一种ITO透明导电层的制备方法、LED芯片及发光二极管，该ITO透明导电层的制备方法，包括以下步骤：在LED芯片表面上进行n次镀膜，后续镀膜在前次镀膜形成的薄膜上进行，所述n次镀膜得到的相应薄膜形成ITO透明导电层，各薄膜的厚度按照镀膜的顺序逐层降低，3≤n≤xx。上述ITO透明导电层的制备方法在LED芯片表面上进行n次镀膜，各层薄膜的厚度相等，ITO透明导电层由多层薄膜构建而成，在退火处理过程中，其Rs增大幅度较小，因而正向电压升高较小和LED芯片亮度高。

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该专利没有引用任何外部专利数据！

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