基于倒装芯片的封装基板与包括该封装基板的LED芯片

实用新型专利有效专利

申请号：
CN201320006560.9
IPC分类号：H01L33/64;H01L33/62;H01L25/16
申请日期：
2013-01-08
申请人：
聚灿光电科技（苏州）有限公司

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著录项信息

专利名称	基于倒装芯片的封装基板与包括该封装基板的LED芯片
申请号	CN201320006560.9	申请日期	2013-01-08
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日		公开/公告号
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L33/64 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L33/00 至少有一个电位跃变势垒或表面势垒的专门适用于光发射的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或设备；这些半导体器件的零部件（H01L 51/00优先；由在一个公共衬底中或其上形成有多个半导体组件并包括具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，专门适用于光发射的器件入H01L 27/15；半导体激光器入H01S 5/00）〔2，8，2010.01〕 H01L33/48 以半导体封装体为特征的〔2010.01〕 H01L33/64 热吸收或冷却元件〔2010.01〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;3;/;6;4;;;H;0;1;L;3;3;/;6;2;;;H;0;1;L;2;5;/;1;6查看分类表>
申请人	聚灿光电科技（苏州）有限公司	申请人地址	江苏省苏州市工业园区新庆路8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	聚灿光电科技（苏州）有限公司,聚灿光电科技股份有限公司	当前权利人	聚灿光电科技（苏州）有限公司,聚灿光电科技股份有限公司
发明人	陈家洛
代理机构	苏州广正知识产权代理有限公司	代理人	张汉钦

摘要

本实用新型公开了一种基于倒装芯片的封装基板与包括该封装基板的LED芯片，封装基板包括具有芯片绑定区域的子基板，子基板的上方形成具有开口的反射层，开口底部露出芯片绑定区域表面，子基板的下方形成有齐纳管，子基板上具有与芯片绑定区域对应的贯穿上下两面的开孔，芯片绑定区域上形成有绑定电极，绑定电极穿过开孔覆盖在子基板下方形成背面电极并将齐纳管反向并联于倒装芯片。由于采用了以上技术方案，本实用新型具有以下优点：基板整面发光且隐藏电极，提高封装后芯片的光通量；导热基板和电极双重散热通道，降低封装热阻，提升性能；反向并联齐纳管，提升整体封装稳定性。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

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