具有电流阻挡层的量子级联激光器

发明专利有效专利

申请号：
CN201480083807.4
IPC分类号：H01S5/22;H01S5/227;H01S5/34
申请日期：
2014-12-03
申请人：
阿尔佩斯激光有限公司

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著录项信息

专利名称	具有电流阻挡层的量子级联激光器
申请号	CN201480083807.4	申请日期	2014-12-03
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-10-13	公开/公告号	CN107251346A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01S5/22 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01S 利用受激发射的器件 H01S5/00 半导体激光器〔7〕 H01S5/20 用于控制光波导的半导体的结构或形状〔7〕 H01S5/22 具有脊状或条状结构的〔7〕	IPC分类号	H;0;1;S;5;/;2;2;;;H;0;1;S;5;/;2;2;7;;;H;0;1;S;5;/;3;4查看分类表>
申请人	阿尔佩斯激光有限公司	申请人地址	瑞士圣布莱斯变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	阿尔佩斯激光有限公司	当前权利人	阿尔佩斯激光有限公司
发明人	A.比斯穆托;J.发斯特;E.吉尼;B.欣科夫
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	周学斌;郑冀之

摘要

半导体量子级联激光器（QCL）、特别是在约3—50µm的波长处发射的中IR激光器常常被设计为深蚀刻掩埋式异质结构QCL。掩埋式异质结构配置是有利的，因为通常为InP的掩埋层的高导热性以及低损耗保证装置的高功率和高性能。然而，如果此类QCL是针对短波长设计的并在短波长下操作，则显现出严重的缺点：此类操作所必需的高电场部分地在绝缘掩埋层内部驱动操作电流。这减少了注入到活性区中的电流并产生热损耗，因此降低QCL的性能。本发明通过在掩埋层内提供被夹在普通InP或其它掩埋层（本征或Fe掺杂）之间的例如AlAs、InAlAs、InGaAs、InGaAsP或InGaSb的有效地设计的电流阻挡或量子势垒来解决此问题。这些量子势垒大大地且可控地减少所述负面影响，导致也在短波长下和/或在高电场中QCL有效地运行。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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