差分闪存器件及提高差分闪存器件耐久性的方法

发明专利无效专利

申请号：
CN200910194918.3
IPC分类号：G11C16/02;G11C16/06
申请日期：
2009-08-31
申请人：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	差分闪存器件及提高差分闪存器件耐久性的方法
申请号	CN200910194918.3	申请日期	2009-08-31
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2011-04-06	公开/公告号	CN102005243A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C16/02 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C16/00 可擦除可编程序只读存储器（G11C 14/00优先）〔5〕 G11C16/02 电可编程序的〔5〕	IPC分类号	G;1;1;C;1;6;/;0;2;;;G;1;1;C;1;6;/;0;6查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	罗文哲;欧阳雄
代理机构	北京集佳知识产权代理有限公司	代理人	李丽

摘要

提供一种提高差分闪存器件耐久性的方法和差分闪存器件，该方法包括：读取所述第一闪存单元和所述第二闪存单元以确定至少与所述第一阈值电压和所述第二阈值电压关联的第一电流，所述第一阈值电压等于第一值，所述第二阈值电压等于第二值；确定所述第一电流是否对应于预定逻辑状态；如果所述第一电流未对应于所述预定逻辑状态，则对所述第一闪存单元和所述第二闪存单元进行编程。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供