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半导体器件上导电金属层的制作

发明专利无效专利

申请号：
CN03827089.7
IPC分类号：H01L21/4763;H01L21/285;H01L23/36;H01L23/367;H01L23/373;H01L31/024;H01L31/052;H01L31/18;H01S5/024
申请日期：
2003-09-19
申请人：
霆激科技股份有限公司

基础信息

权利要求

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法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体器件上导电金属层的制作
申请号	CN03827089.7	申请日期	2003-09-19
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	2006-09-27	公开/公告号	CN1839470
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/4763 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/02 半导体器件或其部件的制造或处理〔2，8〕 H01L21/04 至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层〔2〕 H01L21/34 具有H01L 21/06，H01L 21/16及H01L 21/18各组不包含的或有或无杂质，例如掺杂材料的半导体的器件〔2〕 H01L21/46 用H01L 21/36至H01L 21/428各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L 21/44）〔2〕 H01L21/461 改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割〔2〕 H01L21/4763 非绝缘层的沉积，例如绝缘层上的导电层、电阻层；这些层的后处理（电极的制造入H01L 21/28）〔5〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;4;7;6;3;;;H;0;1;L;2;1;/;2;8;5;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;;;H;0;1;L;2;3;/;3;6;7;;;H;0;1;L;2;3;/;3;7;3;;;H;0;1;L;3;1;/;0;2;4;;;H;0;1;L;3;1;/;0;5;2;;;H;0;1;L;3;1;/;1;8;;;H;0;1;S;5;/;0;2;4查看分类表>
申请人	霆激科技股份有限公司	申请人地址	新加坡新加坡市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	霆激技术有限公司	当前权利人	霆激技术有限公司
发明人	康学军;吴大可;爱德华·罗伯特·佩里
代理机构	北京东方亿思知识产权代理有限责任公司	代理人	肖善强

摘要

本发明公开了一种用于在衬底上制作发光器件的方法，所述发光器件具有包括多个外延层的晶片和处在外延层上的远离衬底的第一欧姆接触层。该方法包括以下步骤：(a)向欧姆接触层施加导热金属的种子层；(b)在种子层上电镀相对较厚的导热金属层；以及(c)移去衬底。本发明还公开了相应的发光器件。发光器件是GaN发光二极管或激光二极管。

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