干法蚀刻方法以及硅片蚀刻方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200810104178.5
IPC分类号：H01L21/00;H01L21/3065;C23F4/00
申请日期：
2008-04-16
申请人：
北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司

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著录项信息

专利名称	干法蚀刻方法以及硅片蚀刻方法
申请号	CN200810104178.5	申请日期	2008-04-16
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2009-10-21	公开/公告号	CN101562122
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/00 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;0;0;;;H;0;1;L;2;1;/;3;0;6;5;;;C;2;3;F;4;/;0;0查看分类表>
申请人	北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司	申请人地址	北京经济技术开发区文昌大道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京北方华创微电子装备有限公司	当前权利人	北京北方华创微电子装备有限公司
发明人	杨柏
代理机构	北京市德权律师事务所	代理人	王建国

摘要

本发明是关于一种干法蚀刻方法以及硅片蚀刻方法。该干法蚀刻方法包括：通入流量比例为75％～100％的含氟气体的工艺气，并在腔室压力为60～95mT、上射频功率为600～1200W、腔室内壁温度为50～75℃的条件下形成等离子体；通入流量比例为50％～100％的氧气的工艺气，在腔室压力为10～95mT、上射频功率为200～800W、腔室内壁温度为50～75℃的条件下形成等离子体；以及通入流量比例大于25％含硅气体和流量比例大于25％的含卤素气体的工艺气，在等离子体启辉条件下发生化学反应。该硅片蚀刻方法是，在完成述干法蚀刻方法后，将硅片送入蚀刻反应腔室，对硅片进行蚀刻。本发明提出的方法，可以保证首片硅片蚀刻的稳定性，避免“首片效应”，从而提高集成电路制造的良率和产能。

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