减少两步沉积工艺中的结电阻变化

发明专利有效专利

申请号：
CN201780096732.7
IPC分类号：H01L39/24;G03F7/09;G06N10/00
申请日期：
2017-09-18
申请人：
谷歌有限责任公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	减少两步沉积工艺中的结电阻变化
申请号	CN201780096732.7	申请日期	2017-09-18
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2020-06-26	公开/公告号	CN111344875A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L39/24 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L39/00 应用超导电性的或高导电性的器件，专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备（由在一共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L 27/00；按陶瓷形成的工艺或陶瓷组合物性质区分的超导体入C04B 35/00；超导或高导体、电缆或传输线入H01B 12/00；超导线圈或绕组入H01F；利用超导电性的放大器入H03F 19/00）〔2，4〕 H01L39/24 专门适用于制造或处理包含在H01L 39/00组内的器件或其部件的方法或设备〔2〕	IPC分类号	H;0;1;L;3;9;/;2;4;;;G;0;3;F;7;/;0;9;;;G;0;6;N;1;0;/;0;0查看分类表>
申请人	谷歌有限责任公司	申请人地址	美国加利福尼亚州变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	谷歌有限责任公司	当前权利人	谷歌有限责任公司
发明人	B.J.伯克特
代理机构	北京市柳沈律师事务所	代理人	金玉洁

摘要

一种减少使用两步沉积工艺制造的量子信息处理器件中的结的结电阻变化的方法。在一个方面，一种方法包括：提供电介质基板(208)；在电介质基板上形成第一抗蚀剂层(210)；在第一抗蚀剂层上形成第二抗蚀剂层(212)；以及在第二抗蚀剂层上形成第三抗蚀剂层(214)。第一抗蚀剂层包括延伸穿过第一抗蚀剂层的厚度的第一开口(216)，第二抗蚀剂层包括在第一开口之上对准并延伸穿过第二抗蚀剂层的厚度的第二开口(218)，第三抗蚀剂层包括在第二开口之上对准并延伸穿过第三抗蚀剂层的厚度的第三开口(220)。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供