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铟锡氧化物纳米晶复合溶液、其制备方法及应用

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201410809742.9
  • IPC分类号:C01G19/00;C01G15/00;C03C17/23;B82Y30/00
  • 申请日期:
    2014-12-23
  • 申请人:
    中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
著录项信息
专利名称铟锡氧化物纳米晶复合溶液、其制备方法及应用
申请号CN201410809742.9申请日期2014-12-23
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-07-20公开/公告号CN105776321A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01G19/00IPC分类号C;0;1;G;1;9;/;0;0;;;C;0;1;G;1;5;/;0;0;;;C;0;3;C;1;7;/;2;3;;;B;8;2;Y;3;0;/;0;0查看分类表>
申请人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请人地址
江苏省苏州市工业园区独墅湖高教区若水路398号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所当前权利人中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
发明人周腾;陈征;崔铮
代理机构南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)代理人王锋
摘要
本发明公开了一种铟锡氧化物(ITO)纳米晶复合溶液、其制备方法及应用。该ITO纳米晶复合溶液的制备工艺包括:提供ITO纳米晶分散液,包括:将ITO纳米晶直接分散在极性有机溶剂中形成ITO纳米晶分散液;提供ITO前驱体液,包括:将In的前驱体液与Sn的前驱体液混合,并在室温下充分搅拌,形成ITO前驱体液;将ITO纳米晶分散液与ITO前驱体液混合均匀,剪切分散,形成所述铟锡氧化物纳米晶复合溶液。本发明通过合成ITO纳米晶分散液与ITO前驱体,并将其简单混合,得到稳定存在的ITO纳米晶复合溶液,此复合溶液通过简易的涂布成膜及退火,即可获得在低温下有高电导且大气环境下稳定性高的ITO薄膜,其不仅能满足电学性质的需求,而且制备工艺简单,易于操作。

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