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一种石墨烯导电薄膜的制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201610061583.8
  • IPC分类号:C01B32/184;H01B13/00
  • 申请日期:
    2016-01-29
  • 申请人:
    白德旭
著录项信息
专利名称一种石墨烯导电薄膜的制备方法
申请号CN201610061583.8申请日期2016-01-29
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2016-07-13公开/公告号CN105752967A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C01B32/184IPC分类号C;0;1;B;3;2;/;1;8;4;;;H;0;1;B;1;3;/;0;0查看分类表>
申请人白德旭申请人地址
四川省成都市龙泉驿区龙泉酱园街36号1栋3单元2楼1号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人白德旭当前权利人白德旭
发明人白德旭
代理机构暂无代理人暂无
摘要
本发明涉及一种石墨烯导电薄膜的制备方法,包括氧化石墨的制备、氧化石墨烯薄膜的组装和氧化石墨烯薄膜的还原,通过将石墨粉在强氧化剂作用下形成氧化石墨,并将氧化石墨经过超声离心后形成氧化石墨烯胶体溶液,再向氧化石墨烯胶体溶液中滴加电解质以使氧化石墨烯胶体溶液絮凝沉积,同时将预处理好的具有二维或三维结构的基底与氧化石墨烯完成自组装过程制得氧化石墨烯薄膜,最后通过热处理或化学还原的方法去除氧化石墨烯薄膜中的含氧官能团,从而制得石墨烯导电薄膜。本发明提供的石墨烯导电薄膜的制备方法避免了气相沉积法需要将制备好的石墨烯转移到目标基底的步骤,而且,本发明可制得具有复杂二维或三维基底结构的石墨烯导电薄膜。

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