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一种陶瓷封装基座及其制备方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202211207147.9
  • IPC分类号:C04B35/10;C04B35/622;C04B35/638;H01L23/14;H01L23/15
  • 申请日期:
    2022-09-29
  • 申请人:
    潮州三环(集团)股份有限公司;德阳三环科技有限公司
著录项信息
专利名称一种陶瓷封装基座及其制备方法
申请号CN202211207147.9申请日期2022-09-29
法律状态公开申报国家中国
公开/公告日2022-12-06公开/公告号CN115433000A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号C04B35/10IPC分类号C;0;4;B;3;5;/;1;0;;;C;0;4;B;3;5;/;6;2;2;;;C;0;4;B;3;5;/;6;3;8;;;H;0;1;L;2;3;/;1;4;;;H;0;1;L;2;3;/;1;5查看分类表>
申请人潮州三环(集团)股份有限公司;德阳三环科技有限公司申请人地址
广东省潮州市凤塘镇三环工业城内综合楼 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人潮州三环(集团)股份有限公司,德阳三环科技有限公司当前权利人潮州三环(集团)股份有限公司,德阳三环科技有限公司
发明人孙健;李钢
代理机构广州三环专利商标代理有限公司代理人陈静
摘要
本发明公开了一种陶瓷封装基座及其制备方法,属于电子元器件用材料技术领域,所述的陶瓷封装基座,包括以下质量百分比的组分90~95%Al2O3、2~3%SiO2、1~3%MnO2、0.1~0.5%MgO;所述Al2O3包括粒径为0.1um~1um的第一Al2O3晶粒、粒径为2.0um~4.0um的第二Al2O3晶粒,且所述第一Al2O3晶粒与第二Al2O3晶粒的质量比为(1~9)1。通过以粒径为0.1um~1um的第一Al2O3晶粒、粒径为2.0um~4.0um的第二Al2O3晶粒,能够有效的增加陶瓷中晶界的数量,有效阻碍微裂纹扩展,从而有效的提高陶瓷封装基座的致密度。

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