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一种自对准硅化物晶体管及其制造方法

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN201210507600.8
  • IPC分类号:H01L29/78;H01L29/45
  • 申请日期:
    2012-11-30
  • 申请人:
    上海宏力半导体制造有限公司
著录项信息
专利名称一种自对准硅化物晶体管及其制造方法
申请号CN201210507600.8申请日期2012-11-30
法律状态授权申报国家中国
公开/公告日2013-02-20公开/公告号CN102938419A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L29/78
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IPC结构图谱:
IPC分类号H;0;1;L;2;9;/;7;8;;;H;0;1;L;2;9;/;4;5查看分类表>
申请人上海宏力半导体制造有限公司申请人地址
上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司当前权利人上海华虹宏力半导体制造有限公司
发明人李乐
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)代理人郑玮
摘要
本发明提供了具有自对准硅化物的晶体管及其制造方法。所述具有自对准硅化物的晶体管,包括:一衬底;形成于所述衬底上的栅极结构;形成于所述栅极结构两侧的衬底内的源漏极区域;形成于所述源漏极区域上第一自对准金属硅化物层;形成于所述第一自对准金属硅化物层上的依次层叠的金属氮化物层和金属层,所述金属氮化物层和金属层与所述栅极结构相隔开,以及形成于所述栅极结构上的第二自对准多晶金属硅化物层。根据本发明的具有自对准硅化物的晶体管,可以实现在进一步减小接触电阻的同时避免源漏节被贯穿的目的。

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