首页专利查询专利详情

*来源于国家知识产权局数据，仅供参考，实际以国家知识产权局展示为准

半导体设备

发明专利有效专利

申请号：
CN201810043867.3
IPC分类号：H01L21/67
申请日期：
2018-01-17
申请人：
北京北方华创微电子装备有限公司

基础信息

权利要求

说明书

PDF全文

法律信息

引证文献

著录项信息

专利名称	半导体设备
申请号	CN201810043867.3	申请日期	2018-01-17
法律状态	实质审查	申报国家	中国
公开/公告日	2018-08-28	公开/公告号	CN108461417A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01L21/67 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G 9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中半导体器件的使用见该应用的小类）〔2〕 H01L21/00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备〔2，8〕 H01L21/67 专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置〔8〕	IPC分类号	H;0;1;L;2;1;/;6;7查看分类表>
申请人	北京北方华创微电子装备有限公司	申请人地址	北京市北京经济技术开发区文昌大道8号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	北京北方华创微电子装备有限公司	当前权利人	北京北方华创微电子装备有限公司
发明人	赵雷超;李春雷;纪红;秦海丰;张芳;兰云峰;王勇飞;王洪彪;文莉辉;张鹤南;王宽冒;郑金果;杨玉杰
代理机构	北京天昊联合知识产权代理有限公司	代理人	彭瑞欣;张天舒

摘要

本发明提供一种半导体设备，包括：PVD腔室、ALD腔室和传输平台；所述PVD腔室和所述ALD腔室均与所述传输平台相连通；所述PVD腔室用于在基片上沉积所述电容的上电极和下电极；所述ALD腔室用于在基片上沉积所述电容的电介质层；所述传输平台用于传输基片。本发明提供的半导体设备，不仅提高电容的性能，而且还可以降低成本。

我浏览过的专利

专利服务由北京酷爱智慧知识产权代理公司提供