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制备共面型铟镓锌氧薄膜晶体管的方法及薄膜晶体管

发明专利有效专利
  • 申请号:
    CN202010589067.9
  • IPC分类号:H01L21/34;H01L29/786
  • 申请日期:
    2020-06-24
  • 申请人:
    中国科学院微电子研究所
著录项信息
专利名称制备共面型铟镓锌氧薄膜晶体管的方法及薄膜晶体管
申请号CN202010589067.9申请日期2020-06-24
法律状态实质审查申报国家中国
公开/公告日2020-09-22公开/公告号CN111696868A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号H01L21/34IPC分类号H;0;1;L;2;1;/;3;4;;;H;0;1;L;2;9;/;7;8;6查看分类表>
申请人中国科学院微电子研究所申请人地址
北京市朝阳区北土城西路3号 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人中国科学院微电子研究所当前权利人中国科学院微电子研究所
发明人李泠;段新绿;卢年端;耿玓;刘明
代理机构北京华沛德权律师事务所代理人房德权
摘要
本发明涉及薄膜晶体管技术领域,尤其涉及制备共面型铟镓锌氧薄膜晶体管的方法及薄膜晶体管。所述方法包括:在绝缘层衬底上形成铟镓锌氧薄膜作为有源层;在有源层上形成栅介质层;在栅介质层上形成栅电极;根据栅电极的图形,对栅介质层进行图形化;对有源层进行图形化;在绝缘层衬底和有源层上形成源漏电极;在绝缘层衬底、有源层、栅介质层、栅电极和源漏电极上形成钝化层;对源漏电极和栅电极上方的钝化层进行图形化,形成通孔,以露出源漏电极和栅电极的部分区域,形成共面型铟镓锌氧薄膜晶体管。本发明能够提高源漏区域与金属电极之间的接触面积,从而降低了器件源漏区域的电阻。

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