半导体致冷取向晶体的制备方法及设备

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专利名称	半导体致冷取向晶体的制备方法及设备
申请号	CN89100990.6	申请日期	1989-03-09
法律状态	权利终止	申报国家	中国
公开/公告日	1990-09-19	公开/公告号	CN1045427
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	暂无	IPC分类号	暂无查看分类表>
申请人	哈尔滨师范大学	申请人地址	黑龙江省哈尔滨市和兴路24号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	哈尔滨师范大学	当前权利人	哈尔滨师范大学
发明人	赵秀平;李将录;荣剑英;赵洪安;董兴才;夏德勇
代理机构	哈尔滨工业大学专利事务所	代理人	黄锦阳

摘要

一种制备半导体致冷取向晶体的方法及利用该方法的设备，特征是在常规的封装和熔炼之后在磁场中进行区熔处理，从而使生长出的晶体材料组分、杂质分布均匀，提高了晶体结合能，使晶体点阵常数比无磁场时变小，能带结构发生变化，材料优值和强度都得到提高，从而可以提高致冷器件的成品率和致冷效率。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有引用任何外部专利数据！

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
该专利没有被任何外部专利所引用！

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