一种MEMS器件及制备方法、电子装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201610349550.3
IPC分类号：B81B7/02;B81C1/00
申请日期：
2016-05-24
申请人：
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司

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著录项信息

专利名称	一种MEMS器件及制备方法、电子装置
申请号	CN201610349550.3	申请日期	2016-05-24
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2017-12-01	公开/公告号	CN107416758A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	B81B7/02 ? IPC结构图谱： B 作业；运输 B8 微观结构技术；纳米技术 B81 微观结构技术〔7〕 B81B 微观结构的装置或系统，例如微观机械装置（压电元件、电致伸缩元件或磁致伸缩元件本身入H01L41/00）〔7〕 B81B7/00 微观结构系统〔7，2006.01〕 B81B7/02 包括功能上有特定关系的不同的电或光学装置，例如微电子—机械系统（MEMS）（B81B7/04优先）〔7，2006.01〕	IPC分类号	B;8;1;B;7;/;0;2;;;B;8;1;C;1;/;0;0查看分类表>
申请人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	申请人地址	上海市浦东新区张江路18号变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司	当前权利人	中芯国际集成电路制造（上海）有限公司,中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
发明人	伏广才
代理机构	北京市磐华律师事务所	代理人	高伟;冯永贞

摘要

本发明提供了一种MEMS器件及制备方法、电子装置。所述方法包括：提供第一晶圆，在所述第一晶圆上堆叠形成有第一层间介电层和接合材料层；图案化所述接合材料层，以在所述第一晶圆上形成接合环并露出部分所述第一层间介电层；沉积第二层间介电层，以覆盖所述接合环和露出的所述第一层间介电层；图案化所述第二层间介电层和所述第一层间介电层，以在所述接合环的两侧形成阻挡侧墙，所述阻挡侧墙与所述接合环之间具有开口间隔。所述方法可以严格控制所述阻挡侧墙与所述接合环顶部表面的高度差，以获得更大的工艺余裕，以避免后续的CVD工艺中或研磨打薄工艺中引起晶圆的脱落。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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