半导体存储器件及半导体存储器件操作方法

发明专利有效专利

申请号：
CN200910211823.8
IPC分类号：G11C7/06;G11C7/08
申请日期：
2009-11-05
申请人：
恩益禧电子股份有限公司

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法律信息

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著录项信息

专利名称	半导体存储器件及半导体存储器件操作方法
申请号	CN200910211823.8	申请日期	2009-11-05
法律状态	暂无	申报国家	中国
公开/公告日	2010-06-16	公开/公告号	CN101740096A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G11C7/06 ? IPC结构图谱： G 物理 G9 G部其他 G11 信息存储 G11C 静态存储器（基于记录载体和换能器之间的相对运动而实现的信息存储入G11B；半导体存储器件入H01L，例如一般脉冲技术入H03K，例如，电子开关入H03K17/00） G11C7/00 数字存储器信息的写入或读出装置（G11C 5/00优先；用于采用半导体器件的存储器的辅助电路入G11C 11/4063，G11C 11/413，G11C 11/4193）〔2，5〕 G11C7/06 读出放大器；相关的电路（放大器本身入H03F，H03K）〔1，7〕	IPC分类号	G;1;1;C;7;/;0;6;;;G;1;1;C;7;/;0;8查看分类表>
申请人	恩益禧电子股份有限公司	申请人地址	日本东京变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	瑞萨电子株式会社	当前权利人	瑞萨电子株式会社
发明人	下川健寿;古田博伺;名贺俊作;白井隆之
代理机构	中原信达知识产权代理有限责任公司	代理人	孙志湧;穆德骏

摘要

本发明提供了一种能够避免回写电流集中的破坏性读出半导体存储器件及半导体存储器件操作方法，在半导体存储器件中，在每一条位线(21)与每一个灵敏放大器(26)之间设置有开关电路(24)。在回写时，在错开的时间点接通开关电路。在读出时，接通开关电路以将存储单元数据读出到灵敏放大器而同时关断灵敏放大器，并且然后关断开关电路一次。在此之后，接通灵敏放大器以放大读出数据。随后，将开关电路分成组并再次接通，以将由灵敏放大器放大的数据回写到存储单元。开关电路被分成组以使其在回写期间在错开的时间点接通，从而避免回写电流集中在一个时段。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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