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一种有序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池

发明专利无效专利
  • 申请号:
    CN201710849847.0
  • IPC分类号:G21H1/04
  • 申请日期:
    2017-09-19
  • 申请人:
    壹号元素(广州)科技有限公司
著录项信息
专利名称一种有序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池
申请号CN201710849847.0申请日期2017-09-19
法律状态驳回申报国家中国
公开/公告日2018-02-09公开/公告号CN107680705A
优先权暂无优先权号暂无
主分类号G21H1/04IPC分类号G;2;1;H;1;/;0;4查看分类表>
申请人壹号元素(广州)科技有限公司申请人地址
广东省广州市高新技术产业开发区科学城彩频路11号TOPS众创办公卡位A23 变更 专利地址、主体等相关变化,请及时变更,防止失效
权利人大方元素(广东)科技有限公司当前权利人大方元素(广东)科技有限公司
发明人张子庚;任容;张瑜桀;张核元;任易;张镁元
代理机构广州三环专利商标代理有限公司代理人宋静娜;郝传鑫
摘要
本发明公开了一种有序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池,包括衬底电极、顶部电极、宽禁带半导体纳米线层和同位素辐射源;所述宽禁带半导体纳米线层包含多个纳米线,所述纳米线的表面具有肖特基结或异质结,所述纳米线在宽禁带半导体纳米线层中为有序排列,所述宽禁带半导体纳米线层设于衬底电极和顶部电极之间,所述同位素辐射源设于宽禁带半导体纳米线层内和/或宽禁带半导体纳米线层与顶部电极之间。本发明所述有序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池,使用的能量转换材料为半导体纳米线,最大限度地提高放射源衰变粒子的利用率,通过并联或串联方式实现多组电池单元多层堆垛集成封装,可达到高的单位体积输出功率。

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