一种有序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池

发明专利无效专利

申请号：
CN201710849847.0
IPC分类号：G21H1/04
申请日期：
2017-09-19
申请人：
壹号元素（广州）科技有限公司

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专利名称	一种有序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池
申请号	CN201710849847.0	申请日期	2017-09-19
法律状态	驳回	申报国家	中国
公开/公告日	2018-02-09	公开/公告号	CN107680705A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	G21H1/04 ? IPC结构图谱： G 物理 G0 仪器 G21 核物理；核工程 G21H 从放射源取得能量；其他类目不包括的放射源辐射的应用；宇宙射线的利用（核辐射或X射线辐射的测量入G01T；聚变反应堆入G21B；核反应堆入G21C；由在结构上与灯相关联的外部微粒子辐射或放射性材料激励填充气体发光的灯入H01J 65/04，H01J 65/06） G21H1/00 从放射源取得电能的装置，例如，从放射性同位素 G21H1/04 利用α、β、γ辐射引起的二次发射的电池	IPC分类号	G;2;1;H;1;/;0;4查看分类表>
申请人	壹号元素（广州）科技有限公司	申请人地址	广东省广州市高新技术产业开发区科学城彩频路11号TOPS众创办公卡位A23 变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	大方元素（广东）科技有限公司	当前权利人	大方元素（广东）科技有限公司
发明人	张子庚;任容;张瑜桀;张核元;任易;张镁元
代理机构	广州三环专利商标代理有限公司	代理人	宋静娜;郝传鑫

摘要

本发明公开了一种有序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池，包括衬底电极、顶部电极、宽禁带半导体纳米线层和同位素辐射源；所述宽禁带半导体纳米线层包含多个纳米线，所述纳米线的表面具有肖特基结或异质结，所述纳米线在宽禁带半导体纳米线层中为有序排列，所述宽禁带半导体纳米线层设于衬底电极和顶部电极之间，所述同位素辐射源设于宽禁带半导体纳米线层内和/或宽禁带半导体纳米线层与顶部电极之间。本发明所述有序排列的宽禁带半导体纳米线的同位素电池，使用的能量转换材料为半导体纳米线，最大限度地提高放射源衰变粒子的利用率，通过并联或串联方式实现多组电池单元多层堆垛集成封装，可达到高的单位体积输出功率。

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