电极的制造方法及蓄电装置

发明专利有效专利

申请号：
CN201210317652.9
IPC分类号：H01M4/62;H01M4/04;H01M10/42
申请日期：
2012-08-31
申请人：
株式会社半导体能源研究所

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著录项信息

专利名称	电极的制造方法及蓄电装置
申请号	CN201210317652.9	申请日期	2012-08-31
法律状态	授权	申报国家	中国
公开/公告日	2013-03-20	公开/公告号	CN102983335A
优先权	暂无	优先权号	暂无
主分类号	H01M4/62 ? IPC结构图谱： H 电学 H9 电学 H01 基本电气元件 H01M 用于直接转变化学能为电能的方法或装置，例如电池组〔2〕（一般电化学的方法或装置入C25；用于转变光或热为电能的半导体或其他固态器件入H01L，例如H01L 31/00，H01L 35/00，H01L 37/00）〔2〕 H01M4/00 电极〔2〕 H01M4/02 由活性材料组成或包括活性材料的电极〔2〕 H01M4/62 在活性物质中非活性材料成分的选择，例如胶合剂、填料〔2〕	IPC分类号	H;0;1;M;4;/;6;2;;;H;0;1;M;4;/;0;4;;;H;0;1;M;1;0;/;4;2查看分类表>
申请人	株式会社半导体能源研究所	申请人地址	日本神奈川县厚木市变更专利地址、主体等相关变化，请及时变更，防止失效
权利人	株式会社半导体能源研究所	当前权利人	株式会社半导体能源研究所
发明人	野田耕生;栗城和贵;井上信洋
代理机构	中国专利代理（香港）有限公司	代理人	何欣亭;李浩

摘要

本发明的目的是提供一种充放电循环特性及比率特性高且不容易发生活性物质的剥离等导致的劣化的电极及蓄电装置。在蓄电装置的电极中，通过使用如下电极可以提高蓄电装置的充放电循环特性，该电极包含：集电体；该集电体上的第一活性物质层；以及该活性物质层上的包含具有氧化铌的粒子和粒状活性物质的第二活性物质层。再者，通过使粒状活性物质与具有氧化铌的粒子接触，由此粒状活性物质被物理地固定，从而能够抑制伴随蓄电装置的充放电的活性物质的膨胀或收缩导致活性物质的微粉化或活性物质从集电体上剥离等劣化。

序号	公开(公告)号	公开(公告)日	申请日	专利名称	申请人
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